FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMC8010ET30是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMC8010ET30是N 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMC8010ET30的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMC8010ET30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC8010ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMC8010ET30 - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。此器件非常适合需要在小空间内实现低rDS(on)的应用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。
FDMC8010ET30 - 产品特性
- TJ额定值扩展:175°C
- 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A )
- 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 25 A )
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
FDMC8010ET30 - 产品应用
以下列出了FDMC8010ET30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMC8010ET30 | 量产-ROHS:截至2014年11月 | $0.7975 |
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