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    Fairchild产品 - FDMC8321LDC介绍
    FDMC8321LDC - 40 V N 沟道 Power Trench MOSFET

    FDMC8321LDC是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8321LDC是40 V N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC8321LDC的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8321LDC相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC8321LDC - 40 V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC8321LDC - 产品描述

    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产。先进的硅技术和DualCoolTM封装技术完美融合，可在提供最小rDS(on)的同时通过极低的结至环境热阻保持卓越的开关性能。

    FDMC8321LDC - 产品特性
    • Dual CoolTM 顶侧冷却PQFN封装
    • 最大值 rDS(on) = 2.5 mΩ（VGS = 10 V, ID = 27 A
      • 时）
    • 最大值 rDS(on) = 4.1 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 21 A
      • 时）
    • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC8321LDC - 产品应用
    以下列出了FDMC8321LDC相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC8321LDC量产-ROHS：截至2014年11月$0.696
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