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    Fairchild产品 - FDMC8360L介绍
    FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench MOSFET

    FDMC8360L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8360L是40 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC8360L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8360L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC8360L - 40 V N 沟道栅极屏蔽 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC8360L - 产品描述

    N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

    FDMC8360L - 产品特性
    • 栅极屏蔽 MOSFET 技术
    • rDS(on)最大值 = 2.1 mΩ（VGS = 10 V、ID = 27 A）
    • rDS(on)最大值 = 3.1 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 22 A）
    • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
    • 终端为无铅产品
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC8360L - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC8360L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC8360L量产-ROHS：截至2012年12月$1.5339
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