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FDMC8554技术文档下载：
FDMC8554 - 20V N 沟道 Power Trench MOSFET
FDMC8554是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC8554是20V N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC8554的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC8554相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC8554 - 20V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC8554 - 产品描述
此N沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。已针对开关性能和超低rDS(on)进行了优化。
FDMC8554 - 产品特性
- 最大值 rDS(on)=5 mΩ（条件为 VGS=10 V、ID=16.5 A）
- 最大值 rDS(on)=6.4 mΩ（条件为 VGS=4.5 V、ID=14A
- 薄型 - 最大 1 mm，采用 Power 33 封装
- 符合 RoHS 标准
FDMC8554 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDMC8554相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| PCF8554W | 量产（特殊订单）-ROHS | 不适用 |
| FDMC8554 | 量产-ROHS：截至2008年11月 | $0.75 |
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