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    Fairchild产品 - FDMC86102LZ介绍
    FDMC86102LZ - 100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET

    FDMC86102LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86102LZ是100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86102LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86102LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC86102LZ - 100V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC86102LZ - 产品描述

    各N沟道逻辑电平MOSFET均采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺制造而成，集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

    FDMC86102LZ - 产品特性
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • 最大 rDS(on)=24 mΩ，当 VGS=10 V、ID=6.5 A
    • 最大 rDS(on)=35 mΩ，当 VGS=4.5 V、ID=5.5 A
    • HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86102LZ - 产品应用

    • 消费电子

    以下列出了FDMC86102LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86102LZ量产-ROHS：截至2011年2月$0.421
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