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    Fairchild产品 - FDMC86116LZ介绍
    FDMC86116LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET

    FDMC86116LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86116LZ是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC86116LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86116LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC86116LZ - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC86116LZ - 产品描述

    这一N沟道逻辑电平MOSFET器件采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。为提高ESD电压，增加了G-S齐纳管。

    FDMC86116LZ - 产品特性
    • 在VGS = 10 V且ID = 3.3 A时，最大RDS(on)
      • = 103 mΩ
    • 在VGS = 4.5 V且ID = 2.7 A时，最大RDS(on)
      • = 153 mΩ
    • HBM ESD保护等级>3 KV典型值
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86116LZ - 产品应用

    • 消费电子

    以下列出了FDMC86116LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86116LZ量产-ROHS：截至2011年12月$0.36
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