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FDMC86160ET100技术文档下载：
FDMC86160ET100 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
FDMC86160ET100是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86160ET100是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC86160ET100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86160ET100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC86160ET100 - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC86160ET100 - 产品描述
FDMC86160ET100 - 产品特性
- 扩展额定 TJ 至 175°C
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 14 mΩ（VGS = 10 V, ID = 9 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 23 mΩ（VGS = 6 V, ID = 7 A 时）
- 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
- 终端无引线且符合 RoHS 标准"
FDMC86160ET100 - 产品应用
- DC-DC商用电源
以下列出了FDMC86160ET100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC86160ET100 | 量产-ROHS：截至2014年11月 | $0.855 |
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