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    Fairchild产品 - FDMC86260ET150介绍
    FDMC86260ET150 - 150 V N 沟道 Power Trench MOSFET

    FDMC86260ET150是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86260ET150是150 V N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC86260ET150的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86260ET150相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC86260ET150 - 150 V N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC86260ET150 - 产品描述

    这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

    FDMC86260ET150 - 产品特性
    • 扩展额定 TJ 至 175°C
    • 最大值 rDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V, ID = 5.4 A时）
    • 最大值 rDS(on) = 44 mΩ（在 VGS = 6 V, ID = 4.8 A时）
    • 通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 终端为无铅产品
    • 符合 RoHS 标准"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86260ET150 - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC86260ET150相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86260ET150量产-ROHS：截至2014年11月$0.877
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