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FDMC86262P - P 沟道 PowerTrench MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ
FDMC86262P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86262P是P 沟道 PowerTrench MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ，本站介绍了FDMC86262P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86262P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC86262P - P 沟道 PowerTrench MOSFET -150 V，-2 A，307 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC86262P - 产品描述
此P沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
FDMC86262P - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 307 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2 A ）
- 最大 rDS(on) = 356 mΩ（VGS = -6 V、ID = -1.8 A ）
- 中压 P 沟道硅技术的 rDS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
- 已针对快速开关应用以及负载开关应用优化
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合RoHS标准
FDMC86262P - 产品应用
以下列出了FDMC86262P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC86262P | 量产-ROHS：截至2014年8月 | $0.4491 |
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