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    Fairchild产品 - FDMC86340介绍
    FDMC86340 - 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET

    FDMC86340是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC86340是80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC86340的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC86340相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC86340 - 80 V N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC86340 - 产品描述

    N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。

    FDMC86340 - 产品特性
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • rDS(on)最大值 = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A
      • ）
    • rDS(on)最大值 = 8.5 mΩ（VGS = 8 V、ID = 12 A
      • ）
    • 高性能技术可实现极低的 rDS(on)
    • 终端为无铅产品
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC86340 - 产品应用

    • DC-DC商用电源

    以下列出了FDMC86340相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC86340量产-ROHS：截至2012年12月$0.943
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