FDMD82100 - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMD82100是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMD82100是100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMD82100的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMD82100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD82100 - 100 V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMD82100 - 产品描述
该器件包括两个100VN沟道MOSFET,采用双Power(3.3mmx5mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。
FDMD82100 - 产品特性
- 最大 rDS(on)= 19 mΩ(VGS= 10 V、ID=7 A )
- 最大 rDS(on)= 33 mΩ(VGS= 6 V、ID= 5.5 A )
- 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- 100% 经过 UIL 测试
- 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
FDMD82100 - 产品应用
以下列出了FDMD82100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMD82100 | 量产-ROHS:截至2013年6月 | $1.38 |
下面可能是您感兴趣的仙童半导体公司MOSFET元器件
Fairchild公司产品现货专家,订购仙童公司产品不限最低起订量,仙童半导体产品大陆现货即时发货,香港库存3-5天发货,海外库存7-10天发货
寻找全球Fairchild仙童代理商现货货源 - Fairchild公司(仙童半导体)电子元件在线订购