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Fairchild产品 - FDMD85100介绍
FDMD85100 - 双 N沟道 PowerTrench MOSFET

FDMD85100是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMD85100是双 N沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMD85100的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMD85100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMD85100 - 双 N沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMD85100 - 产品描述

该器件包括两个100VN沟道MOSFET,采用双Power(5mmx6mm)封装。HS源极和LS漏极内部连接实现半桥/全桥,低源极电感封装、低rDS(on)/QgFOM硅片。

FDMD85100 - 产品特性
    Q1: N-沟道
  • 最大值 rDS(on) = 9.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 10.4 A
  • 最大值 rDS(on) = 16.4 mΩ(VGS = 6 V、ID = 8 A
  • )Q2: N-沟道
  • 最大值 rDS(on) = 9.9 mΩ(VGS = 10 V、ID = 10.4 A
  • 最大值 rDS(on) = 16.4 mΩ(VGS = 6 V、ID = 8 A
  • 是实现桥式拓扑初级端灵活布局的理想选择
  • 终端无引线且符合 RoHS 标准
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 开尔文高侧 MOSFET 驱动引脚排列能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDMD85100 - 产品应用
    以下列出了FDMD85100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMD85100量产-ROHS:截至2014年9月$1.4919
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