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FDMD86100 - 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET
FDMD86100是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMD86100是双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMD86100的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMD86100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMD86100 - 双 N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMD86100 - 产品描述
该封装集成两个在共源配置中内部连接的N沟道器件，并采用栅极屏蔽技术。如此极大地减少了封装的寄生效应，优化了到底部共源焊盘的传热路径。以极小的尺寸(5x6mm)实现较高的功率密度。
FDMD86100 - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 10.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 10 A ）
- 最大值 rDS(on) = 17.3 mΩ（VGS = 6 V、ID = 7.8 A ）
- 满足二次侧同步整流灵活布局的需要
- 终端无引线且符合 RoHS 标准
- 100% 经过 UIL 测试
FDMD86100 - 产品应用
以下列出了FDMD86100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMD86100 | 量产-ROHS：截至2014年9月 | $1.4746 |
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