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FDME1023PZT - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET
FDME1023PZT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME1023PZT是-20V双P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME1023PZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME1023PZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME1023PZT - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME1023PZT - 产品描述
该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低通态电阻的独立P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。当连接为典型共源配置时，可以实现双向电流流动。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDME1023PZT - 产品特性
- VGS = -4.5 V，ID = -2.3 A时，最大rDS(on) = 142 mO
- VGS = -2.5 V，ID = -1.8 A时，最大rDS(on) = 213mO
- VGS = -1.8 V，ID = -1.5 A时，最大rDS(on) = 331mO
- VGS = -1.5 V，ID = -1.2 A时，最大rDS(on) = 530mO
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
- 符合 RoHS 标准
FDME1023PZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDME1023PZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME1023PZT | 量产-ROHS：截至2009年7月 | $0.247 |
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