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FDME1024NZT - 20V双N沟道Power Trench MOSFET
FDME1024NZT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME1024NZT是20V双N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDME1024NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME1024NZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME1024NZT - 20V双N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME1024NZT - 产品描述
该器件专门设计为单封装解决方案，符合蜂窝手机和其他超便携应用的双通道开关要求。该器件具有两个带低通态电阻的独立N沟道MOSFET，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
FDME1024NZT - 产品特性
- VGS = 4.5 V，ID = 3.4 A时，Max rDS(on) = 66 mΩ
- VGS = 2.5 V，ID = 2.9 A时，Max rDS(on) = 86 mΩ
- VGS = 1.8 V，ID = 2.5 A时，Max rDS(on) = 113 mΩ
- VGS = 1.5 V，ID = 2.1 A时，Max rDS(on) = 160 mΩ
- 薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM ESD保护等级>1,600V（注3）<强></强>
- 符合RoHS标准
FDME1024NZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDME1024NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME1024NZT | 量产-ROHS：截至2009年7月 | $0.247 |
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