该器件专为设计作为单封装解决方案，适用于手机和其他移动应用中的DC/DC开关MOSEFT。该器件具有一个带低通态电阻的独立N沟道和P沟道MOSFET，以最大限度地降低传导损耗。每个MOSFET的栅极电荷也已被降至最低，以允许从控制器件直接实现高频率开关。

MicroFET1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。

Q1： N沟道

• 最大值 RDS(on) = 66mΩ（VGS = 4.5V，ID = 3.4A
）
• 最大值 RDS(on) = 86mΩ（VGS = 2.5V，ID = 2.9A
）
• 最大值 RDS(on) = 113mΩ（VGS = 1.8V，ID = 2.5A
）
• 最大值 RDS(on) = 160mΩ（VGS = 1.5V，ID = 2.1A

）Q2： P沟道

• 最大值 RDS(on) = 142mΩ（VGS = -4.5V，ID = -2.3A
）
• 最大值 RDS(on) = 213mΩ（VGS = -2.5V，ID = -1.8A
）
• 最大值 RDS(on) = 331mΩ（VGS = -1.8V，ID = -1.5A
）
• 最大值 RDS(on) = 530mΩ（VGS = -1.5V，ID = -1.2A
）
• 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
• 无卤素化合物和锑氧化物
• HBM ESD保护电平>1600V（参考数据表3）
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDME1034CZT	量产-ROHS：截至2009年7月	$0.247

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