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FDME410NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET
FDME410NZT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME410NZT是20V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME410NZT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME410NZT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME410NZT - 20V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME410NZT - 产品描述
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化VGS=1.5V时专用MicroFET引线框上的rDS(on)。
FDME410NZT - 产品特性
- VGS = 4.5 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 26mΩ
- 最大值 rDS(on) = 31 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 6 A）
- 最大值 rDS(on) = 39 mΩ（VGS = 1.8 V, ID= 5 A）
- 最大值 rDS(on) = 53 mΩ（VGS = 1.5 V, ID = 4A）
- 薄型：0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 不含有卤化合物和氧化锑
- HBM 静电放电保护等级为>1800V（注 3）
- 符合 RoHS 标准
FDME410NZT - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDME410NZT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME410NZT | 量产-ROHS：截至2009年9月 | $0.247 |
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