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FDME430NT技术文档下载：
FDME430NT - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
FDME430NT是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDME430NT是30V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDME430NT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDME430NT相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDME430NT - 30V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDME430NT - 产品描述
该单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，用于优化专用MicroFET引线框上的RDS(ON)（VGS=1.8V时）。
FDME430NT - 产品特性
- 最大值 RDS(on) = 40 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 6 A 时）
- 最大值 RDS(on) = 51 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 5 A 时）
- 最大值 RDS(on) = 71 mΩ（VGS = 1.8 V, ID = 4 A 时）
- 薄型： 最大0.55 mm，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
- 无卤素化合物和锑氧化物
- 符合RoHS标准
FDME430NT - 产品应用
- 手机
以下列出了FDME430NT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDME430NT | 量产-ROHS：截至2012年7月 | $0.247 |
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