XSDrMOS系列器件是飞兆新一代完全优化的超小型集成MOSFET及驱动器功率级解决方案，可用于高电流、高频率、同步降压DC-DC应用。FDMF6705B将一个驱动器IC、两个功率MOSFET以及一个自举肖特基二极管集成到一套热性能增强型超紧凑6x6mmPQFN封装中。通过集成驱动器和MOSFET动态性能、系统感抗和功率MOSFETRDS(ON)，对整个开关功率级进行了优化。XSDrMOS采用飞兆的高性能PowerTrenchMOSFET技术，显著地降低了开关振铃噪声，从而无需在大部分降压转换器应用中使用缓冲器电路。

死区和传播延迟缩短的新型驱动器IC进一步增强了该器件的性能。热警告功能会发出潜在过温情况的警告。FDMF6705B还具有其他功能，比如：可提高轻负载效率的跳频模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三态3.3VPWM输入。

高于93%的峰值效率 在12VIN条件下可处理40A的大电流处理能力 在19VIN条件下可处理38A的大电流处理能力 高性能PQFN铜片封装 三态3.3V PWM输入驱动器 比FDMF6704V更短的传播延迟 比FDMF6704V更短的死区时间 跳频模式SMOD#（低侧门关断）输入 过温条件的热报警标志 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）) SMOD#输入和DISB#输入各自的内部上拉和下拉 用于获得边沿整齐的电压波形并减少振铃的飞兆半导体PowerTrench技术MOSFET 低端MOSFET中的飞兆SyncFET （集成肖特基二极管）技术 集成式自举肖特基二极管 击穿保护的自适应门驱动定时 欠压闭锁(UVLO) 优化后高达1MHz的开关频率 薄型SMD封装 飞兆绿色封装和ROHS认证 基于Intel 4.0 DrMOS标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDMF6705B	量产-ROHS：截至2011年6月	$1.6

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