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FDMS3660AS - 30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench
FDMS3660AS是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS3660AS是30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench，本站介绍了FDMS3660AS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS3660AS相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS3660AS - 30 V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMS3660AS - 产品描述
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)旨在提供优化的功效。
FDMS3660AS - 产品特性
- Q1： N 沟道
- rDS(on)最大值 = 8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 13 A
- rDS(on)最大值 = 11 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 11 A
- Q2： N 沟道
- rDS(on)最大值 = 1.8 mΩ，需 VGS = 10 V、ID = 30 A
- rDS(on)最大值 = 2.2 mΩ，需 VGS = 4.5 V、ID = 27 A
- 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
- MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
- 符合 RoHS 标准
FDMS3660AS - 产品应用
以下列出了FDMS3660AS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMS3660AS | 量产-ROHS：截至2012年10月 | $0.435 |
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