FDMS3660S - 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级
FDMS3660S是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMS3660S是30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级,本站介绍了FDMS3660S的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMS3660S相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS3660S - 30 V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench功率级 - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMS3660S - 产品描述
该器件在双PQFN封装中包括两个专用N沟道MOSFET。该开关节点通过内部连接,能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)旨在提供优化的功效。
FDMS3660S - 产品特性
- Q1: N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 8 mΩ(在 VGS = 10 V,ID = 13 A 时)
- 最大值 rDS(on) = 11 mΩ(在 VGS = 4.5 V,ID = 11 A 时) Q2: N 沟道
- 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ(在 VGS = 10 V,ID = 30 A 时)
- 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ(在 VGS = 4.5 V,ID = 27 A 时)
- 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
- MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
- 符合 RoHS 标准
FDMS3660S - 产品应用
- 笔记本电脑
以下列出了FDMS3660S相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMS3660S | 量产-ROHS:截至2011年9月 | $0.94 |
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