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FDMS4435BZ技术文档下载：
FDMS4435BZ - P沟道PowerTrench MOSFET
FDMS4435BZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS4435BZ是P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS4435BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS4435BZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS4435BZ - P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMS4435BZ - 产品描述
这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
FDMS4435BZ - 产品特性
- 在VGS = -10 V且ID = -9.0 A时，最大值rDS(on) = 20 mΩ
- 在VGS = -4.5 V且ID = -6.5 A时，最大值rDS(on) = 37 mΩ
- 为电池应用提供了扩展的VGSS电压范围(-25 V)
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
- HBM ESD保护级别>7 KV典型值（注4）
- 100%经过UIL测试
- 终端是符合RoHS标准的无铅产品
FDMS4435BZ - 产品应用
- 笔记本电脑
以下列出了FDMS4435BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMS4435BZ | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.377 |
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