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    Fairchild产品 - FDMS6673BZ介绍
    FDMS6673BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET

    FDMS6673BZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS6673BZ是-30V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS6673BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS6673BZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS6673BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS6673BZ - 产品描述

    FDMS6673BZ旨在最大限度地减少负载开关应用中的损耗。先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

    FDMS6673BZ - 产品特性
    • VGS = -10 V，ID = -15.2 A时，最大rDS(on) = 6.8 mΩ
    • VGS = -4.5 V，ID = -11.2 A时，最大rDS(on) = 12.5 mΩ
    • 先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)
    • HBM ESD保护等级 = 8 kV典型值 （注3）
    • MSL1耐用封装设计
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS6673BZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMS6673BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS6673BZ量产-ROHS：截至2008年9月$0.8
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