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Fairchild产品 - FDMS8050ET30介绍
FDMS8050ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET

FDMS8050ET30是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMS8050ET30是N 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMS8050ET30的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMS8050ET30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMS8050ET30 - N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMS8050ET30 - 产品描述

该N沟道MOSFET使用同步或传统的开关PWM控制器,专为提高DC/DC转换器的整体效率并最大限度降低其开关节点振铃噪声而设计。已针对低栅极电荷和极低rDS(on)进行了优化。

FDMS8050ET30 - 产品特性
  • TJ额定值扩展:175°C
  • 最大值 rDS(on) = 0.65 mΩ(VGS = 10 V,ID = 55 A
  • 最大值 rDS(on) = 0.9 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 47 A
  • 低 rDS(on) 和高效
  • 的先进硅封装
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDMS8050ET30 - 产品应用
    以下列出了FDMS8050ET30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS8050ET30量产-ROHS:截至2014年11月$1.4459
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