FDMS86150ET100 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET
FDMS86150ET100是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMS86150ET100是100V N沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMS86150ET100的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMS86150ET100相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS86150ET100 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMS86150ET100 - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。
FDMS86150ET100 - 产品特性
- 扩展额定 TJ 至 175°C
- 栅极屏蔽 MOSFET 技术
- VGS = 10V,ID = 16 A时,最大rDS(on) = 4.85mΩ
- VGS = 6 V,ID = 13 A时,最大rDS(on) = 7.8mΩ
- 先进的封装技术和硅技术相结合,实现了低 rDS(on) 和高效率
- MSL1 耐用封装设计
- 100%经过UIL测试
- 符合 RoHS 标准
FDMS86150ET100 - 产品应用
- DC-DC商用电源
以下列出了FDMS86150ET100相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMS86150ET100 | 量产-ROHS:截至2014年11月 | $1.5068 |
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