FDMS86202 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET
FDMS86202是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMS86202是120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMS86202的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMS86202相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS86202 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMS86202 - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了ShieldedGate技术。该工艺经优化,适用通态电阻优化,却仍保持卓越的开关性能。
FDMS86202 - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大 rDS(on)= 7.2 mΩ(VGS = 10 V、ID= 13.5 A )
- 最大 rDS(on)= 10.3 mΩ(VGS = 6 V、ID= 11.5 A )
- 先进的封装技术和硅技术相结合,实现低 rDS(on)和高效率
- MSL1 耐用封装设计
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDMS86202 - 产品应用
以下列出了FDMS86202相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMS86202 | 量产-ROHS:截至2013年3月 | $1.378 |
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