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    Fairchild产品 - FDMS86202ET120介绍
    FDMS86202ET120 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET

    FDMS86202ET120是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS86202ET120是120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86202ET120的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86202ET120相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS86202ET120 - 120 V N 沟道栅极屏蔽 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS86202ET120 - 产品描述

    N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。

    FDMS86202ET120 - 产品特性
    • 扩展额定 TJ 至 175°C
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • 最大值 rDS(on)= 7.2 mΩ（VGS = 10 V, ID= 13.5 A
      • 时）
    • 最大值 rDS(on)= 10.3 mΩ（VGS = 6 V, ID= 11.5 A
      • 时）
    • 低 rDS(on) 和高效的先进硅封装
    • MSL1 耐用封装设计
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86202ET120 - 产品应用
    以下列出了FDMS86202ET120相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86202ET120量产-ROHS：截至2014年12月$1.5225
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