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FDMS86252L - 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET
FDMS86252L是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS86252L是150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86252L的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86252L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS86252L - 150V N沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMS86252L - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。
FDMS86252L - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大rDS(on) = 56 mΩ（VGS = 10 V，ID = 4.4 A）
- 最大rDS(on) = 71 mΩ（VGS = 6 V，ID = 3.8 A）
- 最大rDS(on) = 75 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 3.7 A）
- 低rDS(on)和高效 的高级硅封装
- 下一代先进体二极管技术，专为软恢复设计
- MSL1 耐用封装设计
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDMS86252L - 产品应用
以下列出了FDMS86252L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMS86252L | 量产-ROHS：截至2013年1月 | $0.51 |
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