FDMS86255ET150 - N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET
FDMS86255ET150是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMS86255ET150是N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMS86255ET150的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMS86255ET150相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMS86255ET150 - N 沟道 Shielded Gate PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDMS86255ET150 - 产品描述
N沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。
FDMS86255ET150 - 产品特性
- 扩展额定 TJ 至 175°C
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大值 rDS(on) = 12.4 mΩ(VGS = 10 V、ID = 10 A )
- 最大值 rDS(on) = 15.5 mΩ(VGS = 6 V、ID = 8 A )
- 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
- 下一代先进体二极管技术,专为软恢复设计
- MSL1 耐用封装设计
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDMS86255ET150 - 产品应用
以下列出了FDMS86255ET150相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDMS86255ET150 | 量产-ROHS:截至2014年11月 | $1.5225 |
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