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    Fairchild产品 - FDMS86350ET80介绍
    FDMS86350ET80 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET

    FDMS86350ET80是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMS86350ET80是80V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMS86350ET80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMS86350ET80相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMS86350ET80 - 80V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMS86350ET80 - 产品描述

    这一N沟道MOSFET器件采用飞兆的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。

    FDMS86350ET80 - 产品特性
    • 扩展额定 TJ 至 175°C
    • 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A
      • ）
    • 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A
      • ）
    • 低 rDS(on)和高效的先进硅封装
    • MSL1 耐用封装设计
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMS86350ET80 - 产品应用
    以下列出了FDMS86350ET80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMS86350ET80量产-ROHS：截至2014年11月$1.4921
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