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Fairchild产品 - FDN306P介绍
FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET

FDN306P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDN306P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDN306P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDN306P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDN306P - 产品描述

此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDN306P - 产品特性
  • -2.6 A,-12 V
  • RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = -4.5 V
  • RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V
  • RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -1.8 V
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT-3提供低RDS(ON),并且在同样的尺寸下,功率处理能力比SOT23高出30%
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDN306P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDN306P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN306P量产-ROHS:截至2011年12月$0.319
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