FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET
FDN306P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDN306P是P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDN306P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDN306P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN306P - P沟道1.8V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDN306P - 产品描述
此P沟道1.8V额定MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
FDN306P - 产品特性
- -2.6 A,-12 V
- RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = -1.8 V
- 快速开关速度
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- SuperSOT-3提供低RDS(ON),并且在同样的尺寸下,功率处理能力比SOT23高出30%
FDN306P - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDN306P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDN306P | 量产-ROHS:截至2011年12月 | $0.319 |
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