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FDN358P - 单 P 沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET
FDN358P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN358P是单 P 沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN358P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN358P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN358P - 单 P 沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN358P - 产品描述
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FDN358P - 产品特性
- -1.5 A，-30 V
- RDS(ON) = 125 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = 4.5 V
- 低栅极电荷（4nC，典型值）
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- 高功率版本的工业标准SOT-23封装。 相同的SOT-23引脚，可将功率处理能力提高30%。
FDN358P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN358P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN358P | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.421 |
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