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FDN5630 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
FDN5630是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN5630是60V N沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDN5630的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN5630相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN5630 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDN5630 - 产品描述
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。这款MOSFET拥有较小的SOT23尺寸，可实现非常低的RDS(ON)。与其他具有同等RDS(ON)规格的MOSFET相比，利用飞兆的PowerTrench技术可实现更快的开关速度。这样一来，总体效率更高，所需的电路板空间更小。
FDN5630 - 产品特性
- 1.7 A，60 V。 RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V，RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V。
- 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
- 低栅极电荷。
- 极快速开关
- SuperSOT - 3能够以SOT23尺寸实现较低的RDS(ON)。
FDN5630 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDN5630相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN5630 | 量产-ROHS：截至2011年12月 | $0.363 |
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