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FDN5632N_F085 - 60 V、1.7 A、57 mΩ、SSOT-3N 沟道 UltraFET
FDN5632N_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDN5632N_F085是60 V、1.7 A、57 mΩ、SSOT-3N 沟道 UltraFET，本站介绍了FDN5632N_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN5632N_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN5632N_F085 - 60 V、1.7 A、57 mΩ、SSOT-3N 沟道 UltraFET - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDN5632N_F085 - 产品描述
FDN5632N_F085 - 产品特性
- RDS(on) = 98 mΩ（需 VGS = 4.5 V、ID = 1.6 A）
- RDS(on) = 82 mΩ（需 VGS = 10 V、ID = 1.7 A）
- 典型 Qg(TOT) = 9.2 nC（需 VGS = 10 V）
- 低米勒电荷
- 符合 AEC Q101 要求
- 符合 RoHS 标准
FDN5632N_F085 - 产品应用
以下列出了FDN5632N_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDN5632N_F085 | 量产-ROHS：截至2008年9月 | $0.1719 |
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