FDN86265P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET
FDN86265P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDN86265P是-150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDN86265P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDN86265P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDN86265P - -150V P沟道屏蔽栅极PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDN86265P - 产品描述
本P沟道MOSFET采用飞兆半导体的先进PowerTrench工艺制造而成,该工艺集成了栅极屏蔽技术。该工艺经优化以减小导通电阻,却仍保持卓越的开关性能。
FDN86265P - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 1.2 Ω(需 VGS = -10 V、ID = -0.8 A )
- 最大 rDS(on) = 1.4 Ω(需 VGS = -6 V、ID = -0.7 A )
- 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低,非常适用于 Qg 较低的情况
- 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDN86265P - 产品应用
以下列出了FDN86265P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDN86265P | 量产-ROHS:截至2013年12月 | $0.3335 |
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