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    Fairchild产品 - FDN86501LZ介绍
    FDN86501LZ - N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 60 V、2.6 A、116 mΩ

    FDN86501LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDN86501LZ是N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 60 V、2.6 A、116 mΩ，本站介绍了FDN86501LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDN86501LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDN86501LZ - N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 60 V、2.6 A、116 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDN86501LZ - 产品描述

    N沟道MOSFET采用飞兆的先进PowerTrench工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。该过程已经过优化，可提供优异的rDS(on)、开关性能和耐用性。

    FDN86501LZ - 产品特性
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • 最大 rDS(on) = 116 mΩ（VGS = 10 V、ID = 2.6 A
      • ）
    • 最大 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 2.1 A
      • ）
    • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
    • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
    • 快速开关速度
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDN86501LZ - 产品应用
    以下列出了FDN86501LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDN86501LZ量产-ROHS：截至2014年12月$0.4413
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