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FDP18N20F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ
FDP18N20F是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDP18N20F是N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ，本站介绍了FDP18N20F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP18N20F相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDP18N20F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 200V，18A，140mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDP18N20F - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDP18N20F - 产品特性
- RDS(on) = 120mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 9A
- 低栅极电荷（典型值 20nC）
- 低 Crss（典型值 24pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FDP18N20F - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDP18N20F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDP18N20F | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.7426 |
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