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FDP39N20 - N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ
FDP39N20是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDP39N20是N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ，本站介绍了FDP39N20的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP39N20相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDP39N20 - N 沟道 UniFETMOSFET 200 V, 39 A, 66 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDP39N20 - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体公司的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术开发。该MOSFET产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDP39N20 - 产品特性
- RDS(on) = 66 mΩ（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 19.5 A
- 低栅极电荷（典型值 38 nC)
- 低Crss（典型值 57 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FDP39N20 - 产品应用
以下列出了FDP39N20相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDP39N20 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.2 |
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