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FDP55N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ
FDP55N06是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDP55N06是N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ，本站介绍了FDP55N06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDP55N06相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDP55N06 - N 沟道 UniFET MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDP55N06 - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDP55N06 - 产品特性
- RDS(on) = 22 mΩ （最大值），需 VGS = 10 V、ID = 27.5 A栅极电荷低（典型值：30nC)
- 低 Crss（典型值60pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
FDP55N06 - 产品应用
- AC-DC商用电源-台式计算机
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 其他数据处理
- 台式计算机
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了FDP55N06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDP55N06 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.7426 |
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