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FDS4935BZ - -30V双P沟道PowerTrench MOSFET
FDS4935BZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS4935BZ是-30V双P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS4935BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS4935BZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS4935BZ - -30V双P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS4935BZ - 产品描述
该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。
与其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。
结果是MOSFET易于驱动，并且驱动安全性更高（即使在非常高的频率），而且DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
FDS4935BZ - 产品特性
- –6.9 A，–30 V
- RDS(ON) = 22 mΩ @ VGS = –10 V
- RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = - 4.5 V
- 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
- 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
FDS4935BZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDS4935BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS4935BZ | 量产-ROHS：截至2015年1月 | $0.449 |
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