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FDS6673BZ_F085 - -30 V、-14.5 A、7.8 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench
FDS6673BZ_F085是Fairchild公司的一款车用P沟道MOSFET产品，FDS6673BZ_F085是-30 V、-14.5 A、7.8 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDS6673BZ_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS6673BZ_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS6673BZ_F085 - -30 V、-14.5 A、7.8 mΩ、SO-8P 沟道 PowerTrench - 车用P沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDS6673BZ_F085 - 产品描述
此P沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
FDS6673BZ_F085 - 产品特性
- 最大 rDS(on) = 7.8 mΩ、VGS = -10 V、ID = -14.5 A
- Max rDS(on) = 12mΩ，VGS = -4.5V，ID = -12A
- 扩展了VGS范围(-25V)，适合电池应用
- HBM静电放电保护等级，典型值为6.5KV（注3）
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101
FDS6673BZ_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDS6673BZ_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS6673BZ_F085 | 量产-ROHS：截至2009年12月 | $0.5576 |
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