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FDS6912技术文档下载：
FDS6912 - 双N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrench MOSFET
FDS6912是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS6912是双N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS6912的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS6912相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS6912 - 双N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS6912 - 产品描述
这些N沟道逻辑电平MOSFET经过专门设计，采用同步或常规开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
FDS6912 - 产品特性
- 6 A，30 V。 RDS(ON) = 0.028。 @ VGS = 10 V RDS(ON) = 0.042 。 @ VGS = 4.5 V。
- 优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
- 极快速开关
- 低栅极电荷
FDS6912 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDS6912相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS6912 | 量产-ROHS：截至2014年10月 | $1.218 |
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