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FDS89141 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDS89141是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS89141是100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS89141的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS89141相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS89141 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS89141 - 产品描述
本N沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺制造，该工艺专为实现rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。
FDS89141 - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- VGS = 10 V，ID = 3.5 A时，最大rDS(on) = 62 mΩ
- VGS = 6 V，ID = 2.8 A时，最大rDS(on) = 100 mΩ
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDS89141 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDS89141相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS89141 | 量产-ROHS：截至2015年12月 | $0.67 |
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