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    Fairchild产品 - FDS89161LZ介绍
    FDS89161LZ - 100 V 双 N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET

    FDS89161LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS89161LZ是100 V 双 N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDS89161LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS89161LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDS89161LZ - 100 V 双 N 沟道屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDS89161LZ - 产品描述

    本N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺生产，该工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而特别定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

    FDS89161LZ - 产品特性
    • 屏蔽栅极 MOSFET 技术
    • 最大值 rDS(on) = 105 mΩ (VGS = 10 V, ID = 2.7 A)
    • 最大值 rDS(on) = 160 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A)
    • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
    • 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
    • CDM ESD 保护等级为：典型值>2 KV（注释 4）
    • 100% 经过 UIL 测试
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDS89161LZ - 产品应用

    • 消费型设备

    以下列出了FDS89161LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDS89161LZ量产-ROHS：截至2014年5月$0.247
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