FDV301N - Fairchild仙童N沟道数字FET

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FDV301N - N沟道数字FET

FDV301N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDV301N是N沟道数字FET，本站介绍了FDV301N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDV301N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDV301N - N沟道数字FET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

FDV301N - 产品描述

此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏压电阻，这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

FDV301N - 产品特性

25 V，0.22 A持续电流，0.5 A峰值电流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
使用一个DMOS FET代替多个NPN数字晶体管。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

FDV301N - 产品应用

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

以下列出了FDV301N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格