FDV302P - Fairchild仙童数字FET、P沟道

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FDV302P - 数字FET、P沟道

FDV302P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDV302P是数字FET、P沟道，本站介绍了FDV302P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDV302P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDV302P - 数字FET、P沟道 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

FDV302P - 产品描述

这些P沟道逻辑级增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏置电阻，该P沟道FET能替代一些具有不同偏置电阻的数字晶体管，如DTCx和DCDx系列。

FDV302P - 产品特性

-25V、-0.12A（连续值）、-0.5A（峰值） RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V、RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = -4.5 V。
栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
紧凑型工业标准SOT-23表面贴装封装。
用一个DMOS FET替代多个PNP数字晶体管（DTCx和DCDx）。

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FDV302P - 产品应用

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

以下列出了FDV302P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格