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FDZ1905PZ - -20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET
FDZ1905PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDZ1905PZ是-20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET，本站介绍了FDZ1905PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDZ1905PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDZ1905PZ - -20Ｖ共用漏极P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDZ1905PZ - 产品描述
该器件专门设计为单封装解决方案，适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。FDZ1905PZ采用飞兆先进的1.5VPowerTrench工艺和最新°低间距±WL-CSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极P沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。先进的WL-CSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。
FDZ1905PZ - 产品特性
- 最大 rS1S2(on) = 126mΩ（VGS = -4.5V，IS1S2 = -1A 时）
- 最大 rS1S2(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V，IS1S2 = -1A 时）
- 最大 rS1S2(on) = 198mΩ（VGS = -1.8V，IS1S2 = -1A 时）
- 最大rS1S2(on) = 303mΩ（VGS = -1.5V，IS1S2 = -1A 时）
- 仅占1.5mm2的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
- 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
- 高功率和高电流处理能力
- HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
- 符合 RoHS 标准
FDZ1905PZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDZ1905PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDZ1905PZ | 量产-ROHS：截至2014年3月 | $0.363 |
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