FQA10N80C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 10A, 1.1Ω
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FQA10N80C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 10A, 1.1Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQA10N80C_F109 - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQA10N80C_F109 - 产品特性
- 10A, 800V, RDS(on) = 1.1Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5A栅极电荷低(典型值:44nC)
- 低 Crss(典型值15pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FQA10N80C_F109 - 产品应用
- AC-DC商用电源-台式计算机
- 台式计算机
以下列出了FQA10N80C_F109相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQA10N80C_F109 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $2 |
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