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Fairchild产品 - FQA28N50介绍
FQA28N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500 V,28.4 A,160 mΩ

FQA28N50是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FQA28N50是N 沟道 QFET MOSFET 500 V,28.4 A,160 mΩ,本站介绍了FQA28N50的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FQA28N50相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FQA28N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500 V,28.4 A,160 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FQA28N50 - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

FQA28N50 - 产品特性
  • 28.4 A、500 V、RDS(on) = 160 mΩ(最大值)( VGS = 10 V、ID = 14.2 A)
  • 低栅极电荷(典型值 110 nC)
  • 低 Crss(典型值 60 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FQA28N50 - 产品应用
    以下列出了FQA28N50相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQA28N50不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日FDA28N50
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