FQA9N90C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 9.0A, 1.4Ω
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FQA9N90C_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 9.0A, 1.4Ω - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FQA9N90C_F109 - 产品描述
该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。
FQA9N90C_F109 - 产品特性
- 9A, 900V, RDS(on) = 1.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低(典型值:45nC)
- 低 Crss(典型值14pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FQA9N90C_F109 - 产品应用
- AC-DC商用电源-台式计算机
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 台式计算机
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了FQA9N90C_F109相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FQA9N90C_F109 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $2.09 |
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